Vishay将展出最新的业内领先技术

发布时间:2017-06-14 11:04

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,Vishay将在2015上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2015,6月24-26日,中国上海)上展出的一系列技术。在上海世博展览馆的4B16展位,Vishay将展出众多业内领先的创新技术,包括无源元件、二极管、功率MOSFET和光电元件等,为广泛的应用带来更高的效率和可靠性。

在PCIM Asia 2015上,Vishay Siliconix将重点展出采用PowerPAIR?、MICRO FOOT?和PowerPAK? 8x8L等各种封装形式的MOSFET产品,包括采用超级结技术的高压E系列MOSFET(用于太阳能逆变器,支持高效率AC/DC功率转换)和AEC-Q101认证SQ系列MOSFET(用于汽车应用)。同时展出的还有400 V - 600 V D系列MOSFET;具有低导通电阻×栅极电荷优值 (FOM) 的TrenchFET?第四代N沟道MOSFET,以及具有0.0016 ? (-10 V) 和0.0020 ? (-4.5 V) 业内低导通电阻的P通道MOSFET。   

此外,Vishay Siliconix还将在Vishay的展位演示其80 V - 100 V ThunderFET? MOSFET在隔离式总线转换器级的高效率和高功率密度;其PowerPAIR TrenchFET第四代解决方案在负载点功率级中的最优化电气及热性能;及其汽车级沟槽式 MOSFET的可重复雪崩耐受能力。   

对于汽车和太阳能逆变器应用,Vishay Semiconductors将展出采用各种超薄封装的二极管,包括TMBS? 沟槽式MOS势垒肖特基整流器、具有ESD保护的标准整流器和采用SMPD (TO-263AC) 封装的FRED Pt? 超快恢复整流器,以及采用SlimSMA (DO-221AC)、SMF (DO-219AB) 和 SMPC (TO-277A) 封装的FRED Pt 超快恢复整流器。另外该公司还将展出针对高频转换器而优化的600 V和650 V FRED Pt第4代超快恢复二极管,以及旨在提高效率的沟槽式IGBT和采用EMIPAK-1B及EMIPAK-2B封装的IGBT电源模块。  

 Vishay还将重点展出用于太阳能逆变器、风力涡轮机、磁共振成像 (MRI) 机器和其他高工作电压应用的光电子产品,特色产品包括具有10 mm最小电气间隙和外部爬电距离的IGBT / MOSFET驱动器、10 MBd宽体光耦和采用表面贴装封装的高隔离电压光耦。另外Vishay还将演示其手势控制传感器电路板,该电路板由Vishay Semiconductors VCNL4020接近传感器和两个VSMF2890RGX01红外发射器组成。   

Vishay展出的无源元器件将包括众多最新电容、电阻和电感产品。重点展出的电阻产品将包括汽车级高功率(至3 W)Vishay Dale Power Metal Strip?电阻,和用于功率计和电池管理应用的Power Metal Strip检流电阻,以及Vishay MCB的用于大功率应用的水冷式绕线电阻。同时展出的还有预接线电阻总成、定制电力电阻总成及负载箱,以及高压高温薄膜电阻。重点展出的电感产品包括扼流电感和定制磁性电感。   

在PCIM Asia 2015上展出的电容产品将包括Vishay ESTA电力频率、滤波、中频和电力电子电容;用于汽车动力总成系统和可再生能源设备,具有高工作温度范围(至+150 °C)和长使用寿命(至6000小时)的Vishay BCcomponents铝电容,以及用于功率计和智能电表的交流线路额定陶瓷盘式电容。同时还将展出Vishay Cera-Mite高压陶瓷直流盘式电容、用于交流滤波和DC-link应用的Vishay Roederstein聚丙烯膜电容以及Vishay ESTA电力频率、高压和电力电子电容。